SiC激光退火
SiC激光退火用于碳化硅（SiC）晶圆制造中形成欧姆接触，通过激光能量精准辐照晶圆背面的金属层（如Ni或Ti），触发金属与SiC的合金化反应，生成Ni/Si化合物层、碳聚集位层和碳空位层，碳空位层作为施主降低势垒差，将肖特基接触转化为低电阻的欧姆接触，显著提升器件电学性能，与传统退火技术（RTA）的对比，仅加热目标区域，避免整体热应力损伤，尤其适配减薄晶圆（≤100μm），微秒/纳秒级精密升温，减少元素扩散，保障金属-半导体界面元素（C、Si、Ni）分布均匀性，可支持键合片、翘曲片等复杂结构，不影响晶圆正面器件。
应用与解决方案
SiC 激光退火应用
针对SiC激光退火设备微妙甚至纳秒级升温以及保障金属-半导体界面元素（C、Si、Ni）分布均匀性的技术难点，雅科贝思可以根据客户要求定制多轴超精密运动平台解决方案，如：下面是根据客户要求定制交付的超精密龙门双驱平台，XYZ轴均采用专利设计无铁芯直线电机，无齿槽效应，快速平稳运行，优化磁路设计，搭配多轴驱控器和纳米级高分辨率编码器，可实现高定位精度和低速度波动，支持实时动态补偿，也可选配主动隔振，极大地提升了精密运动平台动态响应速度，平台搭载激光设备，通过Y轴扫描和X轴步进的方式覆盖整个晶圆片表面，极大提升SiC激光退火设备的产出效率，
●XY轴速度0.6m/s，加速度1g，
●XY重复定位精度±0.5μm，
●Z轴重复定位精度±0.5μm，垂向实时补偿
雅科贝思SiC激光退火超精密运动平台可以应用于所有超薄晶圆和大翘曲晶圆的精确定位及高效可靠传输，可适配于工艺腔室氧含量控制＜10ppm、视觉定位、各工艺参数实时监控等功能，精准控制整个运动台控制温升，以及满足匀速波动性小于0.4%@100mm/s的严苛要求，让SiC激光退火设备成功地实现了“控域、控深、控速”的三维突破，成为推动第三代半导体量产的首选合作伙伴。
